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感应加热设备可控硅中频装置
时间: 2019-08-15 15:24:03 浏览次数:
感应加热设备可控硅中频装置之所以得到迅速发展,首先是由于它的变颊披率较中频发电机高出许多;其次是霉仆在

  感应加热设备可控硅中频装置的频率变化范围也较中频发电机更宽。频率越低变频较易,当超过10赫后则较困难,下限频率200-500赫兹,而上限可达20~50千赫。为了填补10~100千赫这段频率的空白,提供高效率的变额器,各国都存进行研究。1973年法国首先研制出50千赫25kW的可控硅变频器,我国西安电炉研究所不久前亦研制出频率为30—50千赫功率为100—60千瓦的可控硅变频器,为四化作出了贡献。


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   感应加热设备可控硅中频装置之所以得到迅速发展,首先是由于它的变颊披率较中频发电机高出许多;其次是霉仆在感应加热过程巾导磁率、电阻率,改变引起负载变化肘,能自动改变频率,使变频器始终工作在谐振状态,印在*状态下工作,而不像中频发电机需补加电容来维持*工作状态;此外,还有体积小、节约材料、占地面积小、噪音小、安装简便等许多优点,因而有取代中频发电机的趋势。


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