总之，界面能越大、晶粒尺寸越小，轴承感应加热奥氏体晶粒长大的驱动力就会越大，即晶粒的长大倾向越大，品界易于迁移。

    在一定温度条件下，由于轴承感应加热界面张力平衡作用，凡邻接晶粒数小于6的晶粒的晶界都将弯曲成正曲率弧，使界面面积增大，界面能升高。理想状态下的晶界。

　　为了减小轴承感应加热晶界面积以降低界面能，晶界有由曲线变成直线的自发趋势，因此将导致该晶粒缩小，直至消失。邻接晶粒数大于6的晶粒的界面也因晶界张力平衡而弯曲成负曲率弧，同样为减小界面面积，降低界面能，该晶粒将长大，从而吞并小品粒。

　　理想状态下的晶界。处于这种状态下的轴承感应加热奥氏体晶粒不易长大。但实际上奥氏体晶粒的大小是不均匀的。直径小于平均直径的晶粒，其邻接晶粒数一般小于6；直径大于平均直径的品粒，其邻接晶粒数一般大于6、为了保持界面张力平街。

　　轴承感应加热中奥氏体品粒长大的动力是其晶粒尺寸的不均匀性。而与品粒尺寸成反比、晶粒长大的驱动力与界面能成反比。

    进一步提高轴承感应加热温度或延长保温时间，大晶粒将继续长大这就是无数个小品粒被吞并和大晶粒长大的综合结果。这种长大过程又称为奥氏体的长大再结晶。